DB HiTek kończy kwalifikację niezawodnościową procesu 8-calowych tranzystorów SiC MOSFET 1200 V

- Firma opracowała pierwszy na świecie kompletny ciąg procesu odlewniczego dla 8-calowych układów SiC

- Klienci otrzymali zestawy PDK pierwszej i drugiej generacji; zestaw trzeciej generacji zostanie udostępniony w listopadzie. Rozwiązanie ma skrócić czas opracowywania produktów o ponad rok

SEUL, Korea Południowa, 9 września 2026 r. /PRNewswire/ -- DB HiTek, czołowa południowokoreańska niezależna odlewnia półprzewodników pracująca na waflach 8-calowych, poinformowała o pomyślnym zakończeniu kwalifikacji niezawodnościowej procesu tranzystorów MOSFET z węglika krzemu (SiC) na napięcie 1200 V, realizowanego na waflach 8-calowych (200 mm). Osiągnięcie to stanowi kolejny krok w ekspansji firmy na rynek usług odlewniczych SiC dla wafli 8-calowych, przy czym uruchomienie produkcji wielkoseryjnej planowane jest na 2027 r. Po zakończeniu kwalifikacji DB HiTek zamierza wzmocnić wsparcie dla klientów w zakresie rozwoju produktów, pozyskać nowych klientów oraz przyspieszyć przygotowania do produkcji wielkoseryjnej w 2027 r.

Węglik krzemu (SiC) jest materiałem półprzewodnikowym nowej generacji do zastosowań energoelektronicznych. W warunkach wysokich temperatur i wysokich napięć zapewnia lepsze parametry niż konwencjonalny krzem (Si), dzięki czemu dobrze sprawdza się w pojazdach elektrycznych (EV), systemach energii odnawialnej i przemysłowych urządzeniach energoelektronicznych. Chociaż obecnie na rynku SiC dominują wafle 6-calowe, najwięksi światowi producenci półprzewodników przechodzą na 8-calowe, aby poprawić efektywność produkcji i konkurencyjność kosztową. DB HiTek odpowiedziała na tę zmianę rynkową, rozwijając technologię procesową SiC dla wafli 8-calowych oraz rozbudowując swoje możliwości w zakresie usług odlewniczych.

Dzięki optymalizacji procesu wysokiej mocy SiC MOSFET firma DB HiTek uzyskała konkurencyjne parametry elektryczne oraz wysoki poziom niezawodności. Firma opracowała pierwszy na świecie kompletny ciąg technologiczny procesu odlewniczego 8-calowych układów SiC MOSFET 1200 V, tworząc platformę usług odlewniczych zdolną wspierać klientów na wszystkich etapach – od projektowania i produkcji po charakterystykę elektryczną i kwalifikację niezawodnościową.

Aby wesprzeć komercyjne wdrożenie działalności odlewniczej w obszarze 8-calowych układów SiC, DB HiTek udostępnia klientom zestawy Process Design Kit (PDK) dla własnych procesów SiC MOSFET 1200 V pierwszej i drugiej generacji. Zestaw PDK trzeciej generacji ma zostać udostępniony w listopadzie. Wykorzystując te zestawy PDK, klienci mogą ograniczyć zasoby potrzebne na początkowych etapach rozwoju, przyspieszyć wykonanie prototypów oraz skrócić czas opracowywania produktu o ponad rok.

Proces drugiej generacji objęty zestawem PDK osiąga jednostkową rezystancję w stanie przewodzenia (Rsp) na poziomie 2,5 mΩ·cm² lub niższym oraz napięcie progowe (Vth) wynoszące co najmniej 3 V przy napięciu bramka–źródło w stanie włączenia (Vgs(on)) równym 18 V. Proces przeszedł również kwalifikację niezawodnościową, będącą wymagającym etapem rozwoju technologii.

Proces trzeciej generacji, którego udostępnienie zaplanowano na listopad, jest obecnie kwalifikowany z założeniem osiągnięcia jednostkowej rezystancji w stanie przewodzenia na poziomie 2,3 mΩ·cm2 lub niższym przy tym samym napięciu Vgs(on) równym 18 V, a także czasu wytrzymywania zwarcia (SCWT) wynoszącego co najmniej 2,5 μs w bezpiecznym obszarze pracy przy zwarciu (SCSOA). Po zakończeniu kwalifikacji DB HiTek planuje udostępnić klientom zestaw PDK trzeciej generacji.

DB HiTek zamierza zakończyć przygotowania procesu i udostępnić go dotychczasowym klientom w trzecim kwartale bieżącego roku. Firma planuje udostępnić usługę wszystkim klientom od drugiego kwartału 2027 r.

„Zakończenie kwalifikacji niezawodnościowej naszego procesu SiC MOSFET 1200 V ma duże znaczenie, ponieważ pokazuje, że dysponujemy kluczową technologią procesową i zapleczem produkcyjnym niezbędnymi do świadczenia pierwszej na świecie usługi odlewniczej dla 8-calowych układów SiC” – powiedział przedstawiciel DB HiTek. „Będziemy kontynuować przygotowania do uruchomienia w 2027 r. wielkoseryjnej produkcji 8-calowych układów SiC, dążąc do ugruntowania naszej pozycji rynkowej i wzmocnienia konkurencyjności w sektorze usług odlewniczych dla półprzewodników mocy nowej generacji.”

Źródło: DB HiTek

Źródło informacji: PR Newswire